【CNMO科技动静】CNMO从韩媒获悉，三星正加快推进京畿道平泽第五工场（P5）的设置装备摆设复工，旨于抢占新一代高带宽内存（HBM）的先发产能。

三星

据半导体行业动静，三星平泽园区P5工地工人已经最先密集搬运钢布局并接管安全培训，预示周全施工行将启动。公司规划最早在下月重启投资并开工。该项目原定去年启动，但因半导体市场恶化而延期。

据悉，三星拟经由过程P5扩建晋升HBM供给能力。HBM作为垂直重叠多块DRAM的高机能内存，可年夜幅晋升数据处置惩罚速率。当前市场主导产物为第五代HBM3E（运用在英伟达Blackwell芯片），三星估计本月经由过程其质量验证。

于向英伟达批量供给HBM3E后，三星规划抢占第六代HBM4市场先机。HBM4将搭载在英伟达下一代AI加快GPU"Rubin"。只管三星HBM研发进度较SK海力士掉队约三个月，但公司拟经由过程强化产能实现快速追逐。

英伟达估计来岁一季度完成HBM4质量验证，并在下半年敲定Rubin系列供给商和定单量。虽然SK海力士可能率先获单，但业界正紧密亲密存眷三星的定单进展速率。

为提早向英伟达供给HBM4，三星规划于平泽第四工场（P4）空置产线导入10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，以行业U8国际官网开始进制程量产HBM4专用DRAM。今朝三星已经完成HBM4内部量产核准，正筹办样品出产以推进客户供给构和。样品出产系年夜范围量产前向客户提供极少量试制芯片的要害阶段。

半导体行业人士指出："内存市场估计来岁起慢慢复苏，HBM需求将连续增加。三星此举旨于预先确保产能以掌握机缘。"KB证券阐发师金东元猜测："三星将经由过程来岁一季度平泽园区扩建晋升2026年HBM市场份额，且极有可能于四序度启动HBM4早期出产。"

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